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PECVD设备青岛厂家源头直发全国可定制

  

  • 发布日期:
  • 2024/10/26 8:14:57
  • 内 容:
  • 满足半导体集成电路,电力电子器件,光电子等行业用于在硅片上淀积Si O2、Si 3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜工艺。

    CVD系统性能特点:

    结构形式:1—4管卧式热壁型
    硅片规格:2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片)
    温度范围:300~1100℃
    恒温区长度及精度:200mm—1000mm(±1℃/24h)
    淀积薄膜均匀性: 片内±5%      片间±5%      批间±5%
    沉积膜厚度:600~15000A
    系统极限真空度:优于1Pa
    工作压力范围:20~133Pa闭环控制
    控制方式:工业微机
    送料装置:悬臂推拉舟、软着陆系统
    淀积薄膜分类:Si 3N4、Si02、PSG、Pply-Si膜
    真空泵:罗茨泵、机械泵
    工艺气路:5路气/管。VCR接口
    40KFIz脉宽调制AE高频电源
    装片量:200片/舟
  • 地区:
  • 联系人:
  • 张琪
  • 联系电话/手机
  • 13969693848
  • 传真:
  • 邮 箱:
  • QQ/MSN:
  • 信息来源:
  • https://www.sn180.com/buyer/buyview/5987440.html



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