芯片失效分析(FA测试)
芯片失效分析测试项目:
光学检查(VI/OM);
扫描电镜检查(FIB/SEM);
微光分析定位(EMMI/InGaAs);
OBIRCH;
微探针测试(Micro-probe);
聚焦离子束微观分析(Dualbeam-FIB);
弹坑试验(cratering);
芯片开封(decap);
芯片去层(delayer);
晶格缺陷试验(化学法);
PN结染色/码染色试验;
推拉力测试(WBP/WBS);
红墨水试验;PCBA切片分析(X-section);
GRGT目前具有以下芯片相关测试能力及技术服务能力:
芯片可靠性验证(RA):
芯片级预处理(PC)&MSL试验、J-STD-020&JESD22-A113;
高温存储试验(HTSL),JESD22-A103;
温度循环试验(TC),JESD22-A104;
温湿度试验(TH/THB),JESD22-A101;
高加速应力试验(HTSL/HAST),JESD22-A110;
高温老化寿命试验(HTOL),JESD22-A108;
芯片静电测试(ESD):
人体放电模式测试(HBM),JS001;
元器件充放电模式测试(CDM),JS002;
闩锁测试(LU),JESD78;
TLP;Surge/EOS/EFT;
芯片材料分析:
高分辨TEM(形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF);
SEM(形貌观察、截面观察、膜厚测量、EBSD);
Raman(Raman光谱);AFM(微观表面形貌分析、台阶测量);
广州广电计量检测股份有限公司(GRGT)失效分析实验室AEC-Q技术团队,执行过大量的AEC-Q测试案例,积累了丰富的认证试验经验,可为您提供更专业、更可靠的AEC-Q认证试验服务。
芯片测试地点:广电计量-广州总部试验室、广电计量-上海浦东试验室。
芯片测试业务咨询及技术交流:
GRGT张工186-2090+8348;
zhanghp grgtest.com