650V 1200V 碳化硅 氮化家 超结COOLMOS 内阻40-190-380毫欧LCF65R084B
特征描述
采用超快体二极管,Qrr极低
650V 击穿电压
相较于竞品,开关损耗显著降低
RDS(on)的温度依赖性极低
优势
出色的硬换向稳健性
总线电压提高,为设计提供额外安全裕度
可实现更高的功率密度
可在工业开关电源 (SMPS) 应用中实现卓越轻载效率
可在工业开关电源 (SMPS) 应用中提高满载效率
相较于市面上的替代产品,价格更具竞争力
应用领域
电动汽车快速充电
电信基础设施
服务器电源
太阳能系统解决方案