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PECVD设备山东发货全国可做支持定制

 

  

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日期:
 2024-09-05 
  
 
详细信息
 
满足半导体集成电路,电力电子器件,光电子等行业用于在硅片上淀积Si O2、Si 3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜工艺。
 
CVD系统性能特点:
 
结构形式:1—4管卧式热壁型
硅片规格:2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片)
温度范围:300~1100℃
恒温区长度及精度:200mm—1000mm(±1℃/24h)
淀积薄膜均匀性: 片内±5%      片间±5%      批间±5%
沉积膜厚度:600~15000A
系统极限真空度:优于1Pa
工作压力范围:20~133Pa闭环控制
控制方式:工业微机
送料装置:悬臂推拉舟、软着陆系统
淀积薄膜分类:Si 3N4、Si02、PSG、Pply-Si膜
真空泵:罗茨泵、机械泵
工艺气路:5路气/管。VCR接口
40KFIz脉宽调制AE高频电源
装片量:200片/舟
 
 




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