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满足半导体集成电路，电力电子器件，光电子等行业用于在硅片上淀积Si O2、Si 3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜工艺。CVD系统性能特点：

结构形式：1—4管卧式热壁型

硅片规格：2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片)

温度范围：300～1100℃

恒温区长度及精度：200mm—1000mm(±1℃／24h)

淀积薄膜均匀性：片内±5％片间±5％批间±5％

沉积膜厚度：600～15000A

系统极限真空度：优于1Pa

工作压力范围：20～133Pa闭环控制

控制方式：工业微机

送料装置：悬臂推拉舟、软着陆系统

淀积薄膜分类：Si 3N4、Si02、PSG、Pply-Si膜

真空泵：罗茨泵、机械泵

工艺气路：5路气／管。VCR接口

40KFIz脉宽调制AE高频电源

装片量：200片／舟

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